Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiterforschung mit Galliumoxid-Technologie
Hilde Koch
Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiterforschung mit Galliumoxid-Technologie
Aixtron festigt seine Führungsrolle in der Halbleitertechnologie der nächsten Generation durch Partnerschaft mit der Ohio State University
Der Halbleiterausrüster Aixtron hat seine Position in der Halbleitertechnologie der nächsten Generation gestärkt, indem er eine Kooperation mit der Ohio State University (OSU) einging. Das fortschrittliche MOCVD-System des Unternehmens wird nun die Forschung der OSU zu Galliumoxid unterstützen – ein Material, das die Leistungselektronik revolutionieren könnte. Mit diesem Schritt setzt sich Aixtron von Wettbewerbern ab, die weiterhin auf ältere Halbleitermaterialien setzen.
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Die Zusammenarbeit unterstreicht zudem den wachsenden Einfluss von Aixtron im Bereich der Ultra-Breitbandgap-Halbleiter, was sich auch in der Aktienperformance des Unternehmens widerspiegelt.
Im Nanotech West Lab der OSU, das vom Institute for Materials and Manufacturing Research betrieben wird, wurde Aixtrons Close Coupled Showerhead® (CCS)-System installiert. Dieses Gerät ermöglicht das epitaktische Wachstum von Galliumoxid und Aluminium-Galliumoxid auf 100-Millimeter-Substraten. Dank seiner Fähigkeit, hochwertige und gleichmäßige Dünnschichten herzustellen, gilt das System als bevorzugte Wahl für Spitzenforschung.
Galliumoxid gewinnt zunehmend an Bedeutung als Schlüsselmaterial für die Leistungselektronik der Zukunft, da es gegenüber herkömmlichen Halbleitern überlegene Eigenschaften aufweist. Aixtrons frühe Investitionen in diese Technologie verschaffen dem Unternehmen einen klaren Wettbewerbsvorteil, während viele Konkurrenten weiterhin auf etablierte Materialien wie Siliziumkarbid oder Galliumnitrid setzen.
Die Partnerschaft mit der OSU ist nicht die erste hochkarätige Zusammenarbeit von Aixtron. Führende Forschungseinrichtungen weltweit – darunter die Universität Nagoya, die Tohoku-Universität, die Zhejiang-Universität und die Peking-Universität – nutzen bereits ähnliche MOCVD-Systeme für die Galliumoxid-Forschung. Diese Universitäten haben bereits bedeutende Fortschritte erzielt, etwa bei der Herstellung von 4-Zoll-Galliumoxid-Wafern oder der Entwicklung neuer Varianten für kompakte Radarsysteme.
Auch die Aktienentwicklung von Aixtron spiegelt die starke Marktposition des Unternehmens wider. Derzeit notiert die Aktie bei 18,79 Euro – deutlich über dem 200-Tage-Durchschnitt – und hat seit Januar fast 40 Prozent zugelegt. Dieses Wachstum unterstreicht das Vertrauen der Anleger in die technologische Führerschaft und den First-Mover-Vorteil des Unternehmens.
Die Installation des MOCVD-Systems von Aixtron an der OSU festigt dessen Ruf als führender Anbieter von Forschungsgeräten für die Halbleiterindustrie. Da Galliumoxid als entscheidendes Material für die Leistungselektronik der Zukunft gilt, positioniert sich das Unternehmen mit seinem frühen Fokus auf diese Technologie klar vor der Konkurrenz. Die Partnerschaft verbindet Aixtron zudem mit den weltweit führenden Institutionen, die die Innovation im Bereich der Ultra-Breitbandgap-Halbleiter vorantreiben.
